Солнечные батареи на гетероструктурах


Тандемный солнечный элемент 4. Диполи на границе раздела 2. Несмотря на фундаментальный характер этого различия, оно играет второстепенную роль в транспортных свойствах перехода.

Солнечные батареи на гетероструктурах

Хотя при малых несоответствиях не гарантируются большие значения КПД, а при больших иногда встречаются солнечные элементы с высоким КПД, тем не менее, как правило, предпочтительнее материалы с меньшим несоответствием решеток. Основная модель 2. Проблема несоответствия параметров решеток достаточно сложна.

Солнечные батареи на гетероструктурах

Прямая рекомбинация носителей заряда через состояния на границе раздела, определяемая высотой барьера Шоттки 2. Примеси, снижающие время жизни носителей заряда 4. Еще одна проблема — это несоответствие оптических свойств слоев, формирующих гетеропереход, что приводит к дополнительным потерям Таблица 5.

До сих пор солнечные элементы на основе этой структуры не оправдывали возлагавшихся на них надежд из-за недостаточной эффективности собирания фотогенерированных носителей заряда. Конечно, цена этих степеней свободы — дополнительное усложнение системы.

Этапы изготовления 4. На самом деле свойства гетероперехода определяются другими причинами: Четверные соединения типа представляют две степени свободы и в принципе позволяют одновременно подобрать оптимальные ширину запрещенной зоны и параметр кристаллической решетки.

Учет влияния поверхностных состояний крайне важен при изготовлении гетероструктур и обусловил появление метода травления структур без выноса на воздух, что необходимо для получения воспроизводимых результатов в случае гетеропереходных солнечных элементов на основе и способа стравливания части поверхности непосредственно при получении гетероперехода, иногда применяемого при изготовлении гетеропереходных солнечных элементов AlGaAs - GaAs.

В основном это касается тонких поликристаллических пленок, в которых эффект самокомпенсации наиболее сильно проявляется в областях разупорядочения, в частности на границах зерен.

Тонкие солнечные элементы 4. Для максимального увеличения или в случае поглощающего слоя -типа должна быть как можно ближе к нулю. Выращивание кристаллов методом Чохральского 4.

На самом деле свойства гетероперехода определяются другими причинами: Исходная модель барьера Шоттки 2. Как было отмечено в гл. Электропроводность поликристаллических материалов 6. Трехмерные объемные эффекты в гомогенных переходах 2. Физические явления, обусловливающие последовательное и шунтирующее сопротивления 3.

Выращивание кристаллов методом Чохральского 4.

В качестве примера на рис. Приборы со структурой металл—диэлектрик—полупроводник 2.

Материалы должны иметь близкие значения коэффициентов теплового расширения, поскольку в большинстве случаев гетеропереходы образуются при повышенных температурах. Высота барьера 2. До сих пор солнечные элементы на основе этой структуры не оправдывали возлагавшихся на них надежд из-за недостаточной эффективности собирания фотогенерированных носителей заряда.

Снижение рекомбинации на межкристаллитной границе 6. Положение квазиуровней Ферми в обедненном слое 2. Происхождение состояний на поверхности и границе раздела 2.

Примером, когда малое несоответствие параметров решеток еще не означает возможность получения высокого КПД, служит структура. Высота барьера 2. Положение квазиуровней Ферми в обедненном слое 2.

Количественная мера качества гетеропереходов, названная мерой эффективности преобразования вычислена при Аналогичные таблицы составлялись и ранее [Milnes, Feucht, ; Fahrenbruch, ], в том числе подробные с указанием характеристик солнечных элементов, изготовленных на основе как гомогенных, так и гетерогенных -переходов.

В одном из элементов имеется промежуточный слой эВ , который бесполезно поглощает фотоны с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны Спектральная зависимость чувствительности другого элемента указывает на наличие промежуточного слоя эВ , который сам по себе обусловливает относительно высокие значения однако препятствует собиранию всех фотогенерированных в носителей, кроме горячих.

Как было указано в гл. Влияние несоответствия параметров решеток и дефектов на границе раздела обсуждалось в гл. Как было отмечено в гл. Вольт-амперные характеристики элементов с гомогенным переходом при различных механизмах переноса носителей заряда 2.

Для расширения спектрального диапазона пропускания солнечного излучения ширина запрещенной зоны поверхностного слоя должна быть как можно больше, при этом материал должен оставаться низкоомным. Солнечные элементы на основе GaAs для космических энергетических установок 5.

Примером, когда малое несоответствие параметров решеток еще не означает возможность получения высокого КПД, служит структура.

Тепловые характеристики 3. Электропроводность различных поликристаллических пленок 6. Вольт-амперные характеристики элементов с гомогенным переходом при различных механизмах переноса носителей заряда 2. Протекание тока, обусловленное рекомбинацией носителей заряда на границе раздела 2.

Например, трудно изготовить пленки , в которых [Feigelsen е. Научная библиотека.

Тепловые характеристики 3. Положение квазиуровней Ферми в обедненном слое 2. В ряде материалов сильное влияние поверхностных состояний приводит даже к перемене типа проводимости поверхности. При изготовлении гетеропереходных солнечных элементов возникают дополнительные проблемы, связанные со взаимной диффузией элементов, образованием соединений на межфазной границе раздела, влиянием удельного электрического сопротивления материалов, эффектом фиксации уровня Ферми на границе раздела и влиянием оксидных слоев, образующихся до и в процессе выращивания структур.



Порно в конюшнеке
Большые красивые жопы ебут порно онлайн
София ротару порно сейки
Порно скрытая видео камера в женских туалетах
Мужик трахает молоденькую сучку порно
Читать далее...

<